Nitride semiconductor device

WO2022215583 Art A1 13. Oktober 2022

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022215583
Aktenzeichen: EP22784567
Anmeldetag: 28. März 2022
Veröffentlichung: 13. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L21/28H01L21/288H01L29/41H01L29/417H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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