Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

WO2022216365 Art A1 13. Oktober 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022216365
Aktenzeichen: EP22785120
Anmeldetag: 15. Februar 2022
Veröffentlichung: 13. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11521H01L27/11568H01L27/11556H01L27/11582H01L27/11519H01L27/11565

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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