Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

WO2022216371 Art A2 13. Oktober 2022

Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022216371
Aktenzeichen: EP22785124
Anmeldetag: 22. Februar 2022
Veröffentlichung: 13. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/51H01L29/02H01L29/00

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Anmelder

Firma: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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