Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit aus der Gasphase Abgeschiedener Epitaktischer Schicht in einer Abscheidekammer
WO2022218720
Art A1
20. Oktober 2022
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022218720
- Aktenzeichen
- EP22719895
- Anmeldetag
- 31. März 2022
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
375 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.