Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

WO2022224906 Art A1 27. Oktober 2022

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022224906
Aktenzeichen: EP22791680
Anmeldetag: 15. April 2022
Veröffentlichung: 27. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/868H01L21/265H01L21/329H01L29/06H01L29/12H01L29/78H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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