Three-dimensional dynamic random-access memory (3d dram) gate all-around (gaa) design using stacked si/sige

WO2022226236 Art A1 27. Oktober 2022

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022226236
Aktenzeichen: EP22792533
Anmeldetag: 21. April 2022
Veröffentlichung: 27. Oktober 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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