Gate structure and manufacturing method therefor

WO2022227337 Art A1 3. November 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022227337
Aktenzeichen: EP21938802
Anmeldetag: 10. August 2021
Veröffentlichung: 3. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/43H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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