Wafer grinding method and wafer failure analysis method

WO2022227339 Art A1 3. November 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022227339
Aktenzeichen
EP21938803
Anmeldetag
12. August 2021
Veröffentlichung
3. November 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/66H01L21/304H01L23/544
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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