Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, production method for semiconductor device, and etching device
WO2022230859
Art A1
3. November 2022
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022230859
- Aktenzeichen
- EP22795772
- Anmeldetag
- 26. April 2022
- Veröffentlichung
- 3. November 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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