Three-dimensional memory device with multilevel drain-select electrodes and methods for forming the same

WO2022231717 Art A1 3. November 2022

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022231717
Aktenzeichen: EP22796336
Anmeldetag: 15. März 2022
Veröffentlichung: 3. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11573H01L27/11575H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von