Three-dimensional nand memory and fabrication method thereof

WO2022233118 Art A1 10. November 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022233118
Aktenzeichen: EP21939763
Anmeldetag: 15. November 2021
Veröffentlichung: 10. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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