Adaptive control to access current of memory cell
WO2022234309
Art A1
10. November 2022
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022234309
- Aktenzeichen
- EP20968193
- Anmeldetag
- 18. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 10. November 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00G11C5/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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