Semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2022237080 Art A1 17. November 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022237080
Aktenzeichen: EP21941645
Anmeldetag: 25. Oktober 2021
Veröffentlichung: 17. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/762H01L21/76H01L27/088H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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