Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

WO2022240496 Art A1 17. November 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022240496
Aktenzeichen: EP22807997
Anmeldetag: 1. April 2022
Veröffentlichung: 17. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11524H01L27/11556H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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