Etching method and method for manufacturing semiconductor element
WO2022244519
Art A1
24. November 2022
Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022244519
- Aktenzeichen
- EP22804435
- Anmeldetag
- 30. März 2022
- Veröffentlichung
- 24. November 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RESONAC CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Resonac
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.
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