Semiconductor substrate manufacturing method, and resist base film forming composition

WO2022244682 Art A1 24. November 2022

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022244682
Aktenzeichen: EP22804595
Anmeldetag: 13. Mai 2022
Veröffentlichung: 24. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/004G03F7/20G03F7/26G03F7/32H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

2.270 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von