Silicon carbide semiconductor device

WO2022244749 Art A1 24. November 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022244749
Aktenzeichen: EP22804660
Anmeldetag: 16. Mai 2022
Veröffentlichung: 24. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von