Aluminum Nitride Passivation Layer For Mercury Cadmium Telluride in an Electrical Device

WO2022245515 Art A1 24. November 2022

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022245515
Aktenzeichen: EP22724307
Anmeldetag: 28. April 2022
Veröffentlichung: 24. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0216H01L31/103H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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