Codeword error leveling for 3dxp memory devices

WO2022245999 Art A1 24. November 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022245999
Aktenzeichen
EP22805437
Anmeldetag
18. Mai 2022
Veröffentlichung
24. November 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G06F3/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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