Transistor configurations for multi-deck memory devices

WO2022246364 Art A1 24. November 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022246364
Aktenzeichen: EP22805684
Anmeldetag: 5. Mai 2022
Veröffentlichung: 24. November 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L23/48H01L23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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