Memory and erasure verification method therefor, operating method, and memory system

WO2022247775 Art A1 1. Dezember 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022247775
Aktenzeichen: EP22810500
Anmeldetag: 23. Mai 2022
Veröffentlichung: 1. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C29/44G11C29/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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