Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

WO2022248140 Art A1 1. Dezember 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022248140
Aktenzeichen: EP22725495
Anmeldetag: 26. April 2022
Veröffentlichung: 1. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329H01L21/331H01L29/16H01L29/04H01L29/06H01L29/32H01L29/732H01L29/739H01L29/861H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von