Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2022249855 Art A1 1. Dezember 2022

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022249855
Aktenzeichen: EP22811129
Anmeldetag: 28. April 2022
Veröffentlichung: 1. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L21/76H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L27/092H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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