Method and apparatus for performing a read of a flash memory using predicted retention-and-read-disturb-compensated threshold voltage shift offset values

WO2022250722 Art A1 1. Dezember 2022

Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022250722
Aktenzeichen: EP21806526
Anmeldetag: 2. Oktober 2021
Veröffentlichung: 1. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/56G11C16/26G11C16/34G11C29/02G06N3/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Microchip Technology

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.

1.426 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

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