Void-Free Contact Trench Fill in Gate-All-Around Fet Archtecture

WO2022250820 Art A1 1. Dezember 2022

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022250820
Aktenzeichen: EP22811810
Anmeldetag: 25. April 2022
Veröffentlichung: 1. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/285H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von