High speed memory device with data masking

WO2022252168 Art A1 8. Dezember 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022252168
Aktenzeichen: EP21943535
Anmeldetag: 3. Juni 2021
Veröffentlichung: 8. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/10G11C16/32G11C7/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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