Semiconductor structure and preparation method therefor

WO2022252444 Art A1 8. Dezember 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022252444
Aktenzeichen: EP21943798
Anmeldetag: 24. September 2021
Veröffentlichung: 8. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/367H01L23/373H01L23/48H01L21/48H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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