Thin-film transistor and method for manufacturing thin-film transistor

WO2022252470 Art A1 8. Dezember 2022

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022252470
Aktenzeichen: EP21943822
Anmeldetag: 19. Oktober 2021
Veröffentlichung: 8. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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