Verfahren zum Abscheiden einer Epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial in einer Abscheidevorrichtung
WO2022253533
Art A1
8. Dezember 2022
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022253533
- Aktenzeichen
- EP22728584
- Anmeldetag
- 11. Mai 2022
- Veröffentlichung
- 8. Dezember 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/12C23C16/458C23C16/52C30B25/16H01L21/67C30B25/10C30B29/06C30B25/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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