Semiconductor device

WO2022255139 Art A1 8. Dezember 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022255139
Aktenzeichen
EP22815889
Anmeldetag
23. Mai 2022
Veröffentlichung
8. Dezember 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L25/07H01L25/18H01L21/60H02M7/48
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen