Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

WO2022256322 Art A1 8. Dezember 2022

Anmelder: RAMBUS INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022256322
Aktenzeichen
EP22816722
Anmeldetag
31. Mai 2022
Veröffentlichung
8. Dezember 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G11C7/04G11C7/12G11C7/20G11C7/22
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
RAMBUS INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

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