Process method for source-drain contact metal, and device and preparation method therefor

WO2022257075 Art A1 15. Dezember 2022

Anmelder: SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI, FUDAN UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022257075
Aktenzeichen: EP21944584
Anmeldetag: 10. Juni 2021
Veröffentlichung: 15. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI
FUDAN UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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