Method for preparing bipolar gating memristor, and bipolar gating memristor

WO2022257280 Art A1 15. Dezember 2022

Anmelder: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022257280
Aktenzeichen: EP21944782
Anmeldetag: 30. August 2021
Veröffentlichung: 15. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C11/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

623 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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