Semiconductor substrate production method and composition for forming resist underlayer film

WO2022259885 Art A1 15. Dezember 2022

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022259885
Aktenzeichen: EP22820067
Anmeldetag: 27. Mai 2022
Veröffentlichung: 15. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08F220/10G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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