Ferroelectric random access memory (fram) capacitors and methods of construction
WO2022260705
Art A1
15. Dezember 2022
Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022260705
- Aktenzeichen
- EP21841067
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 15. Dezember 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11507H01L49/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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Fachgebiete
Vertreten von
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