Group Iii-Nitride Heterojunction Photoelectric Detector

WO2022261829 Art A1 22. Dezember 2022

Anmelder: Sun Yat-Sen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022261829
Aktenzeichen: EP21945422
Anmeldetag: 15. Juni 2021
Veröffentlichung: 22. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/109H01L31/0352H01L31/0304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sun Yat-Sen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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