1s1r-type memory integrated structure and preparation method therefor
WO2022262651
Art A1
22. Dezember 2022
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022262651
- Aktenzeichen
- EP22824131
- Anmeldetag
- 10. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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