Power semiconductor device, method for manufacturing same, and power conversion device

WO2022265003 Art A1 22. Dezember 2022

Anmelder: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022265003
Aktenzeichen: EP22824991
Anmeldetag: 14. Juni 2022
Veröffentlichung: 22. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/36H01L23/40H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

37.727 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen