High voltage field effect transistors with self-aligned silicide contacts and methods for making the same

WO2022265685 Art A1 22. Dezember 2022

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022265685
Aktenzeichen: EP22825469
Anmeldetag: 26. Januar 2022
Veröffentlichung: 22. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/40H01L29/66H01L29/49H01L29/08H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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