Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

WO2022265686 Art A1 22. Dezember 2022

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022265686
Aktenzeichen: EP22825470
Anmeldetag: 27. Januar 2022
Veröffentlichung: 22. Dezember 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/3065H01L21/311H01L21/441H01L21/443H01L21/768H01L27/06H01L27/108H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

2.373 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von