Multi-layer polysilicon stack for semiconductor devices
WO2022266995
Art A1
29. Dezember 2022
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022266995
- Aktenzeichen
- EP21946489
- Anmeldetag
- 25. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/82H01L27/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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