Radical-Activated Carbon Film Deposition
WO2022271525
Art A1
29. Dezember 2022
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022271525
- Aktenzeichen
- EP22829046
- Anmeldetag
- 16. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/26C23C16/448C23C16/50C01B32/186
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.