Treatment method for semiconductor structure

WO2023000465 Art A1 26. Januar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023000465
Aktenzeichen: EP21950704
Anmeldetag: 8. September 2021
Veröffentlichung: 26. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02B08B5/02B08B3/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik

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