Test method for connectivity of semiconductor structure and test system therefor
WO2023000498
Art A1
26. Januar 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023000498
- Aktenzeichen
- EP21950736
- Anmeldetag
- 28. September 2021
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01R31/66G01R31/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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