Low-temperature gold-free ohmic contact gan-based hemt device and preparation method therefor

WO2023000692 Art A1 26. Januar 2023

Anmelder: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL TECHNOLOG, SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023000692
Aktenzeichen: EP22844864
Anmeldetag: 16. März 2022
Veröffentlichung: 26. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/417H01L29/45H01L29/20H01L29/205H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: ZHONGSHAN INSTITUTE OF MODERN INDUSTRIAL TECHNOLOG
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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