Method for producing a gallium oxide layer on a substrate
WO2023001630
Art A1
26. Januar 2023
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023001630
- Aktenzeichen
- EP22748343
- Anmeldetag
- 12. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/16C30B29/16C23C16/40C23C16/455C23C16/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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