Rare earth element-added semiconductor element and method for producing same
WO2023002931
Art A1
26. Januar 2023
Anmelder: OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023002931
- Aktenzeichen
- EP22845865
- Anmeldetag
- 15. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 26. Januar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/14C09K11/08C09K11/62C09K11/64C09K11/77H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSAKA UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Osaka University
Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.
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