Selective deposition of graphene on cobalt-capped copper dual damascene interconnect

WO2023004328 Art A1 26. Januar 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023004328
Aktenzeichen: EP22846799
Anmeldetag: 19. Juli 2022
Veröffentlichung: 26. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768C23C16/26C23C16/452H01L21/02H01L21/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: LAM RESEARCH CORPORATION
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.055 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von