Graphene-Capped Copper in Dual Damascene Interconnect

WO2023004329 Art A1 26. Januar 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023004329
Aktenzeichen: EP22846800
Anmeldetag: 19. Juli 2022
Veröffentlichung: 26. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768C23C16/26C23C16/452

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von