Double t-shaped gate preparation method based on double-layer passivation and accurate etching

WO2023006036 Art A1 2. Februar 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023006036
Aktenzeichen: EP22848641
Anmeldetag: 28. Juli 2022
Veröffentlichung: 2. Februar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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